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2SJ179 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ179
   Código: PA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC62
 

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2SJ179 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  nec
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2SJ179

 ..2. Size:1334K  kexin
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2SJ179

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ1791.70 0.1 Features VDS (V) =-30V ID =-1.5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 1 (VGS =-10V)0.42 0.10.46 0.1 RDS(ON) 1.5 (VGS =-4V)1.Gate2.Drain3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current ID

 ..3. Size:1602K  cn vbsemi
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2SJ179

2SJ179www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchDS G G D SD P-Channel MOSFET ABSOL

 9.1. Size:399K  nec
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