SQM110N10-09 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM110N10-09  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SQM110N10-09 datasheet

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SQM110N10-09

SQM110N10-09 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0095 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 120 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single 100 % Rg and UIS Tested D

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SQM110N10-09

SQM110N06-04L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0035 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0050 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 120 100 % Rg and UIS T

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SQM110N10-09

SQM110N04-03 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 40 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0028 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 120 AEC-Q101 qualifiedd Configuration Single 100 % Rg and UIS Tested Compl

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