SQM120N04-03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQM120N04-03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 93 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 854 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM120N04-03L

SQM120N04-03L Datasheet (PDF)

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SQM120N04-03Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0035 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0053 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 120 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single

2.1. Size:767K vishay
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SQM120N04-03www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0028 TrenchFET Power MOSFETID (A) 120 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 qualifiedd 100 % Rg and UIS TestedD Co

3.1. Size:743K vishay
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SQM120N04-04www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0035 TrenchFET Power MOSFETID (A) 120 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 QualifieddD 100 % Rg and UIS Tested Co

3.2. Size:703K vishay
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SQM120N04-02Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0023 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0041 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 120 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single

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History: BUK7Y4R8-60E

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: