SQM120N04-1M9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQM120N04-1M9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 180 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1180 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM120N04-1M9

SQM120N04-1M9 Datasheet (PDF)

..1. Size:155K vishay
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SQM120N04-1m9www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY Package with Low Thermal ResistanceVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0019 100 % Rg and UIS TestedID (A) 120 Material categorization:Configuration SingleFor definitions of compliance please

2.1. Size:102K vishay
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SQM120N04-1m7Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0017 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0020 AEC-Q101 QualifieddID (A) 120 Material categorization:Configuration Sin

2.2. Size:166K vishay
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SQM120N04-1m8Vishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0018 TrenchFET Power MOSFETID (A) 120 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 QualifieddD 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS

2.3. Size:168K vishay
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SQM120N04-1m7www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY Package with Low Thermal ResistanceVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0017 100 % Rg and UIS TestedID (A) 120 Material categorization:Configuration SingleFor definitions of compliance please

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: