SQM200N04-1M1L Todos los transistores

 

SQM200N04-1M1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQM200N04-1M1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2060 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263-7L
 

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SQM200N04-1M1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  vishay
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SQM200N04-1m1Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0011 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0013 AEC-Q101 QualifieddID (A) 200 Material categorization:Configuration Sin

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SQM200N04-1m7Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0017 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0020 AEC-Q101 qualified dID (A) 200Configuration Single Material categorization:

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SQM200N04-1M1L

SQM200N04-1m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0018 100 % Rg and UIS testedID (A) 200 AEC-Q101 qualified dConfiguration SinglePackage TO-263-7L Material categorization: for definitions

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History: BSC340N08NS3G | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PTP13N50B | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK | FKP253

 

 
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