SQM200N04-1M8 Todos los transistores

 

SQM200N04-1M8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQM200N04-1M8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1414 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263-7L
 

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SQM200N04-1M8 Datasheet (PDF)

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SQM200N04-1M8

SQM200N04-1m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0018 100 % Rg and UIS testedID (A) 200 AEC-Q101 qualified dConfiguration SinglePackage TO-263-7L Material categorization: for definitions

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SQM200N04-1m1Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0011 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0013 AEC-Q101 QualifieddID (A) 200 Material categorization:Configuration Sin

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SQM200N04-1m7Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0017 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0020 AEC-Q101 qualified dID (A) 200Configuration Single Material categorization:

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History: TPD60R350C | AM3962NE | CEU12N10 | IPA90R1K2C3 | PB600BX | BRCS070P03YB | BUZ61A

 

 
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