SQM200N04-1M8
MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQM200N04-1M8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375
W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40
V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20
V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200
A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175
°C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5
V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 206
nC
trⓘ - Tiempo de subida: 21
nS
Cossⓘ - Capacitancia
de salida: 1414
pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018
Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263-7L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM200N04-1M8
SQM200N04-1M8
Datasheet (PDF)
..1. Size:170K vishay
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SQM200N04-1m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0018 100 % Rg and UIS testedID (A) 200 AEC-Q101 qualified dConfiguration SinglePackage TO-263-7L Material categorization: for definitions
2.1. Size:134K vishay
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SQM200N04-1m1Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0011 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0013 AEC-Q101 QualifieddID (A) 200 Material categorization:Configuration Sin
2.2. Size:168K vishay
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SQM200N04-1m7Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0017 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0020 AEC-Q101 qualified dID (A) 200Configuration Single Material categorization:
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