IRFU010 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU010
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de IRFU010 MOSFET
IRFU010 Datasheet (PDF)
irfr014pbf irfu014pbf.pdf

PD-95065AIRFR014PbFIRFU014PbF Lead-Free12/10/04Document Number: 91263 www.vishay.com1IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com2IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com3IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com4IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com5IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com6IRFR/U014
Otros transistores... IRFSZ34 , IRFSZ34A , IRFSZ35 , IRFSZ40 , IRFSZ42 , IRFSZ44 , IRFSZ44A , IRFSZ45 , 20N50 , IRFU012 , IRFU014 , IRFU014A , IRFU015 , IRFU020 , IRFU022 , IRFU024A , IRFU024N .
History: DMN2501UFB4 | FTK12N65P | HGN042N10S | AON1620 | IRFU024A | SIHFDC20 | QM12N65F
History: DMN2501UFB4 | FTK12N65P | HGN042N10S | AON1620 | IRFU024A | SIHFDC20 | QM12N65F



Liste
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