SQM40N10-30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM40N10-30  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SQM40N10-30 datasheet

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SQM40N10-30

SQM40N10-30 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.030 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 6 V 0.034 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 40 100 % Rg and UIS Tested

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SQM40N10-30

SQM40N15-38 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 150 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.038 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 6 V 0.040 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 40 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single 1

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SQM40N10-30

SQM40P10-40L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 100 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.040 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.048 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 40 Material categorization Configuration S

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