SQM40N10-30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQM40N10-30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM40N10-30

SQM40N10-30 Datasheet (PDF)

..1. Size:709K vishay
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SQM40N10-30www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.030 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 6 V 0.034 AEC-Q101 QualifieddID (A) 40 100 % Rg and UIS Tested

7.1. Size:742K vishay
sqm40n15-38.pdf

SQM40N15-38www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 150DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.038 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 6 V 0.040 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 40 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 1

9.1. Size:166K vishay
sqm40p10-40l.pdf

SQM40P10-40Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.040 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.048 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 40 Material categorization:Configuration S

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