SQM40N10-30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQM40N10-30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 41 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 285 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM40N10-30
SQM40N10-30 Datasheet (PDF)
sqm40n10-30.pdf
SQM40N10-30www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.030 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 6 V 0.034 AEC-Q101 QualifieddID (A) 40 100 % Rg and UIS Tested
sqm40n15-38.pdf
SQM40N15-38www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 150DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.038 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 6 V 0.040 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 40 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 1
sqm40p10-40l.pdf
SQM40P10-40Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.040 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.048 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 40 Material categorization:Configuration S
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