SQM40P10-40L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQM40P10-40L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 89 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 314 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM40P10-40L
SQM40P10-40L Datasheet (PDF)
sqm40p10-40l.pdf
SQM40P10-40Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.040 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.048 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 40 Material categorization:Configuration S
sqm40n10-30.pdf
SQM40N10-30www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 100 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.030 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 6 V 0.034 AEC-Q101 QualifieddID (A) 40 100 % Rg and UIS Tested
sqm40n15-38.pdf
SQM40N15-38www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 150DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.038 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 6 V 0.040 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 40 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 1
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918