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SQM50N04-5M0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM50N04-5M0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 70 nC

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 512 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.005 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM50N04-5M0

 

SQM50N04-5M0 Datasheet (PDF)

1.1. sqm50n04-5m0.pdf Size:168K _upd-mosfet

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SQM50N04-5m0 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) 40 • Package with Low Thermal Resistance RDS(on) () at VGS = 10 V 0.005 • 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 50 • AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single • Material categorization: For definitions of TO-263 compliance p

1.2. sqm50n04-4m0l.pdf Size:165K _upd-mosfet

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SQM50N04-4m0L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) 40 • Package with Low Thermal Resistance RDS(on) () at VGS = 10 V 0.0040 • 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0055 • AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 50 • Material categorization: Configuration Singl

 1.3. sqm50n04-4m1.pdf Size:173K _upd-mosfet

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SQM50N04-4m1 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) 40 • Package with Low Thermal Resistance RDS(on) () at VGS = 10 V 0.0041 • AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 50 • 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single • Material categorization: For definitions of compliance please s

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