IRFU012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU012
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de IRFU012 MOSFET
IRFU012 Datasheet (PDF)
irfr014pbf irfu014pbf.pdf

PD-95065AIRFR014PbFIRFU014PbF Lead-Free12/10/04Document Number: 91263 www.vishay.com1IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com2IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com3IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com4IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com5IRFR/U014PbFDocument Number: 91263 www.vishay.com6IRFR/U014
Otros transistores... IRFSZ34A , IRFSZ35 , IRFSZ40 , IRFSZ42 , IRFSZ44 , IRFSZ44A , IRFSZ45 , IRFU010 , IRF1407 , IRFU014 , IRFU014A , IRFU015 , IRFU020 , IRFU022 , IRFU024A , IRFU024N , IRFU025 .
History: STY112N65M5 | HFD1N60S | 2SK1818-MR | 2SK1465 | ZXMN6A09K | FQD14N15TM | SIHFBC40A
History: STY112N65M5 | HFD1N60S | 2SK1818-MR | 2SK1465 | ZXMN6A09K | FQD14N15TM | SIHFBC40A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet