SQM50P04-09L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM50P04-09L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 96.5 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1129 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm

Encapsulados: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de SQM50P04-09L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SQM50P04-09L datasheet

 ..1. Size:154K  vishay
 sqm50p04-09l.pdf pdf_icon

SQM50P04-09L

SQM50P04-09L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0094 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0170 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuratio

 7.1. Size:169K  vishay
 sqm50p08-25l.pdf pdf_icon

SQM50P04-09L

SQM50P08-25L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 80 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.031 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration

 7.2. Size:169K  vishay
 sqm50p06-15l.pdf pdf_icon

SQM50P04-09L

SQM50P06-15L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.015 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.022 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration

 7.3. Size:168K  vishay
 sqm50p03-07.pdf pdf_icon

SQM50P04-09L

SQM50P03-07 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0070 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0110 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SQM40N15-38, SQM40P10-40L, SQM47N10-24L, SQM50020EL, SQM50N04-4M0L, SQM50N04-4M1, SQM50N04-5M0, SQM50P03-07, IRF530, SQM50P06-15L, SQM50P08-25L, SQM60N06-15, SQM60N20-35, SQM85N03-06P, SQM85N10-10, SQM85N15-19, SQP100P06-9M3L