SQM85N03-06P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQM85N03-06P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 655 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM85N03-06P

SQM85N03-06P Datasheet (PDF)

..1. Size:702K vishay
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SQM85N03-06Pwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 30 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0060 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0085 AEC-Q101 QualifieddID (A) 60 100 % Rg and UIS Tes

8.1. Size:143K vishay
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SQM85N10-10www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0105 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single

8.2. Size:136K vishay
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SQM85N10-10Vishay SiliconixAutomotiveN-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0105 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Compliant to R

8.3. Size:739K vishay
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SQM85N15-19www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 150 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019ID (A) 85 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 QualifieddD 100 % Rg and UIS Tested Com

8.4. Size:171K vishay
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SQM85N15-19Vishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 150DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 TrenchFET Power MOSFETID (A) 85 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD AEC-Q101 QualifieddTO-263

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: