SQM85N10-10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM85N10-10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 655 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SQM85N10-10 datasheet

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SQM85N10-10

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SQM85N10-10

SQM85N10-10 Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0105 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.012 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 100 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single Compliant to R

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SQM85N10-10

SQM85N15-19 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 150 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.019 ID (A) 85 Package with Low Thermal Resistance Configuration Single AEC-Q101 Qualifiedd D 100 % Rg and UIS Tested Com

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SQM85N10-10

SQM85N15-19 Vishay Siliconix Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 150 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.019 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 85 Package with Low Thermal Resistance Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D AEC-Q101 Qualifiedd TO-263

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