SQM85N10-10 Todos los transistores

 

SQM85N10-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQM85N10-10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 655 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SQM85N10-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  vishay
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SQM85N10-10

SQM85N10-10www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0105 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single

 6.1. Size:136K  vishay
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SQM85N10-10

SQM85N10-10Vishay SiliconixAutomotiveN-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0105 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Compliant to R

 7.1. Size:739K  vishay
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SQM85N10-10

SQM85N15-19www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 150 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019ID (A) 85 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 QualifieddD 100 % Rg and UIS Tested Com

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SQM85N10-10

SQM85N15-19Vishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 150DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 TrenchFET Power MOSFETID (A) 85 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD AEC-Q101 QualifieddTO-263

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History: IRF7749L1TRPBF | IRF9530P | SI2301ADS-T1

 

 
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