SQM85N10-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQM85N10-10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 122 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 655 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM85N10-10

SQM85N10-10 Datasheet (PDF)

..1. Size:143K vishay
sqm85n10-10.pdf

SQM85N10-10www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0105 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single

6.1. Size:136K vishay
sqm85n10.pdf

SQM85N10-10Vishay SiliconixAutomotiveN-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0105 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Compliant to R

7.1. Size:739K vishay
sqm85n15-19.pdf

SQM85N15-19www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) 150 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019ID (A) 85 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 QualifieddD 100 % Rg and UIS Tested Com

7.2. Size:171K vishay
sqm85n15.pdf

SQM85N15-19Vishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 150DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 TrenchFET Power MOSFETID (A) 85 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD AEC-Q101 QualifieddTO-263

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: