SQM85N15-19 Todos los transistores

 

SQM85N15-19 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM85N15-19

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 375 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 85 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 80 nC

Tiempo de elevación (tr): 24 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.019 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM85N15-19

 

SQM85N15-19 Datasheet (PDF)

1.1. sqm85n15-19.pdf Size:739K _upd-mosfet

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SQM85N15-19 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 150 • TrenchFET® Power MOSFET RDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 ID (A) 85 • Package with Low Thermal Resistance Configuration Single • AEC-Q101 Qualifiedd D • 100 % Rg and UIS Tested • Com

2.1. sqm85n15.pdf Size:171K _vishay

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 3.1. sqm85n10-10.pdf Size:143K _upd-mosfet

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SQM85N10-10 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition RDS(on) () at VGS = 10 V 0.0105 • TrenchFET® Power MOSFET RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 • Package with Low Thermal Resistance ID (A) 100 • AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single

3.2. sqm85n10.pdf Size:136K _vishay

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