SQR50N03-06P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQR50N03-06P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 563 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SQR50N03-06P datasheet

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SQR50N03-06P

SQR50N03-06P www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0060 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0085 Material categorization ID (A) 50 For definitions of compliance please see Configuration Singl

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SQR50N03-06P

SQR50N06-07L Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0076 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.009 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 50 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single AEC-Q101 Qu

 7.2. Size:141K  vishay
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SQR50N03-06P

SQR50N04-3m8 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 50 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization For definitions of compliance please s

Otros transistores... SQP120N06-06, SQP120N10-09, SQP120N10-3M8, SQP50N06-09L, SQP50P03-07, SQP60N06-15, SQP90P06-07L, SQR40N10-25, AO3407, SQR50N04-3M8, SQR50N06-07L, SSF22A5E, SSF2418B, SSF2418EBK, SSF2439E, SSF2641S, SSF2816EBK