SQR50N03-06P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQR50N03-06P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 563 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de SQR50N03-06P MOSFET
SQR50N03-06P Datasheet (PDF)
sqr50n03-06p.pdf

SQR50N03-06Pwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0060 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0085 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please see Configuration Singl
sqr50n06-07l.pdf

SQR50N06-07LVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0076 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.009 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single AEC-Q101 Qu
sqr50n04-3m8.pdf

SQR50N04-3m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 QualifieddID (A) 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:For definitions of compliance please s
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History: RU40191S | STD95N3LLH6 | IRFU5410PBF | STU328S | RU4H10P | WMO26N60F2 | FDC8886
History: RU40191S | STD95N3LLH6 | IRFU5410PBF | STU328S | RU4H10P | WMO26N60F2 | FDC8886



Liste
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