TK14E65W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK14E65W5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 35 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK14E65W5
TK14E65W5 Datasheet (PDF)
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TK14E65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14E65W5TK14E65W5TK14E65W5TK14E65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc
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TK14E65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14E65WTK14E65WTK14E65WTK14E65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En
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