TK14E65W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK14E65W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK14E65W5

TK14E65W5 Datasheet (PDF)

..1. Size:243K toshiba
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TK14E65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14E65W5TK14E65W5TK14E65W5TK14E65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc

..2. Size:246K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK14E65W5ITK14E65W5FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.3.Enhancement mode:Vth =3 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=0.69mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

6.1. Size:248K toshiba
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TK14E65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14E65WTK14E65WTK14E65WTK14E65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

6.2. Size:280K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK14E65WITK14E65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.25.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.69mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

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Liste

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