TK14E65W5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK14E65W5  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-220

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TK14E65W5 datasheet

 ..1. Size:243K  toshiba
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TK14E65W5

TK14E65W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14E65W5 TK14E65W5 TK14E65W5 TK14E65W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
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TK14E65W5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK14E65W5 ITK14E65W5 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.3 . Enhancement mode Vth =3 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=0.69mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 6.1. Size:248K  toshiba
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TK14E65W5

TK14E65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14E65W TK14E65W TK14E65W TK14E65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 6.2. Size:280K  inchange semiconductor
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TK14E65W5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK14E65W ITK14E65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.25 . Enhancement mode Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.69mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

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