IRFU110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU110 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
Encapsulados: TO251
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IRFU110 datasheet
irfr110pbf irfu110pbf.pdf
PD - 95026A IRFR110PbF IRFU110PbF Lead-Free 12/14/04 Document Number 91265 www.vishay.com 1 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 2 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 3 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 4 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 5 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 6 IRFR/U1
irfu110 sihfu110.pdf
IRFU110, SiHFU110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 Straight Lead Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 2.3 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 3.8 Fast Switching Configuration Single Ease of Parallel
irfu110pbf sihfu110.pdf
IRFU110, SiHFU110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 Straight Lead Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 2.3 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 3.8 Fast Switching Configuration Single Ease of Parallel
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
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