TK5P60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK5P60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK5P60W

TK5P60W Datasheet (PDF)

..1. Size:239K toshiba
tk5p60w.pdf

TK5P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5P60WTK5P60WTK5P60WTK5P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.77 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance

0.1. Size:628K toshiba
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TK5P60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5P60W5TK5P60W5TK5P60W5TK5P60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 65 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.84 (typ.)by using Super Junction Structure :

9.1. Size:376K toshiba
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TK5P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5P65WTK5P65WTK5P65WTK5P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.02 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

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History: CHM62A3PAGP

Liste

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