TK5P65W Todos los transistores

 

TK5P65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK5P65W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 10.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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TK5P65W Datasheet (PDF)

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TK5P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5P65WTK5P65WTK5P65WTK5P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.02 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

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TK5P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5P60WTK5P60WTK5P60WTK5P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.77 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance

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TK5P60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5P60W5TK5P60W5TK5P60W5TK5P60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 65 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.84 (typ.)by using Super Junction Structure :

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