TMD5N50 Todos los transistores

 

TMD5N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMD5N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TMD5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  trinnotech
 tmd5n50 tmd5n50g tmu5n50 tmu5n50g.pdf pdf_icon

TMD5N50

TMD5N50/TMU5N50TMD5N50G/TMU5N50GFeaturesVDSS = 550 V @Tjmax Low gate chargeID = 4.5A 100% avalanche testedRDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DI-PAKD-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD5N50/TMU5N50 D-PAK/I-PAK TMD5N50/TMU5N50 RoHS

 9.1. Size:461K  trinnotech
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TMD5N50

TMD5N60Z(G)/TMU5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 4.2A

 9.2. Size:457K  trinnotech
 tmd5n60az tmu5n60az.pdf pdf_icon

TMD5N50

TMD5N60AZ(G)/TMU5N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

 9.3. Size:617K  trinnotech
 tmd5n40zg tmu5n40zg.pdf pdf_icon

TMD5N50

TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 3.4A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD5N40ZG/TMU5N40ZG D-PAK/I-PAK TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Halogen Free Abso

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History: SMNY2Z30 | IPN50R1K4CE | RU40L10H | SRT04N016L | SN6F22NSFP | SWD10N80K2 | SRT045N012HTC-GS

 

 
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