IRFU224A Todos los transistores

 

IRFU224A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFU224A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IRFU224A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  1
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IRFU224A

 7.1. Size:523K  international rectifier
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IRFU224A

PD- 95237AIRFR224PbFIRFU224PbF Lead-Free12/03/04Document Number: 91271 www.vishay.com1IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com2IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com3IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com4IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com5IRFR/U224PbFDocument Number: 91271 www.vishay.com6IRFR/U22

 7.2. Size:938K  vishay
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IRFU224A

IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 250 Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 14 Surface Mount (IRFR224, SiHFR224)Qgs (nC) 2.7 Straight Lead (IRFU224, SiHFU224) Available in Tape and Reel

 7.3. Size:351K  vishay
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IRFU224A

IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Surface Mount (IRFR224, SiHFR224)Qg (Max.) (nC) 14 Straight Lead (IRFU224, SiHFU224)Qgs (nC) 2.7Qgd (nC) 7.8 Available in Tape and Reel Configuration Single

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History: FRK460H

 

 
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