TMP18N20Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP18N20Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de TMP18N20Z MOSFET
TMP18N20Z Datasheet (PDF)
tmp18n20z tmpf18n20z.pdf
TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A
Otros transistores... TMP11N50SG , TMP12N60 , TMP12N60A , TMP13N50 , TMP15N50 , TMP16N25Z , TMP16N60 , TMP16N60A , AON7506 , TMP20N50 , TMP20N50A , TMP2N60AZ , TMP2N60Z , TMP2N65AZ , TMP3N50AZ , TMP3N50Z , TMP3N80 .
History: SFG170N10PF | IPN80R1K2P7 | WPM3005 | SFG150N10KF | RD3L080SN | IPP034N08N5 | FDB86363-F085
History: SFG170N10PF | IPN80R1K2P7 | WPM3005 | SFG150N10KF | RD3L080SN | IPP034N08N5 | FDB86363-F085
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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