IRFU320A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFU320A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO251

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IRFU320A datasheet

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IRFU320A

 7.1. Size:1849K  international rectifier
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IRFU320A

PD-95013A IRFR320PbF IRFU320PbF Lead-Free 12/13/04 Document Number 91273 www.vishay.com 1 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 2 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 3 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 4 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 5 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 6 IRFR/U320

 7.2. Size:1814K  international rectifier
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IRFU320A

PD-95013A IRFR320PbF IRFU320PbF Lead-Free www.irf.com 1 12/13/04 IRFR/U320PbF 2 www.irf.com IRFR/U320PbF www.irf.com 3 IRFR/U320PbF 4 www.irf.com IRFR/U320PbF www.irf.com 5 IRFR/U320PbF 6 www.irf.com IRFR/U320PbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage Inductance Current

 7.3. Size:1555K  vishay
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IRFU320A

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 400 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS* Surface Mount (IRFR320/SiHFR320) Qg (Max.) (nC) 20 COMPLIANT Straight Lead (IRFU320/SiHFU320) Qgs (nC) 3.3 Available in Tape and Reel Qgd (nC) 11 Fast Switching

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