IRFU3303 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFU3303  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 99 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: TO251

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IRFU3303 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFU3303 datasheet

 ..1. Size:250K  international rectifier
irfr3303pbf irfu3303pbf.pdf pdf_icon

IRFU3303

PD - 95070A IRFR3303PbF IRFU3303PbF l Ultra Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET l Surface Mount (IRFR3303) D l Straight Lead (IRFU3033) VDSS = 30V l Advanced Process Technology l Fast Switching RDS(on) = 0.031 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extre

 9.1. Size:210K  1
irfu310a irfr310a.pdf pdf_icon

IRFU3303

 9.2. Size:211K  1
irfu320a irfr320a.pdf pdf_icon

IRFU3303

 9.3. Size:485K  international rectifier
auirfr3607 auirfu3607.pdf pdf_icon

IRFU3303

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR3607 AUIRFU3607 Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS 75V Fast Switching RDS(on) typ. 7.34m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant max. 9.0m Automotive Qualified * G ID (Silicon Limited) 80A S ID (Package Limited) 56A Description Specifically des

Otros transistores... IRFU222, IRFU224, IRFU224A, IRFU230A, IRFU310, IRFU310A, IRFU320, IRFU320A, 8N65, IRFU3910, IRFU410, IRFU4105, IRFU411, IRFU420, IRFU420A, IRFU5305, IRFU5410