TMP9N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP9N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de TMP9N50 MOSFET
TMP9N50 Datasheet (PDF)
tmp9n50 tmpf9n50.pdf
TMP9N50/TMPF9N50TMP9N50G/TMPF9N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(on) = 0.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP9N50 / TMPF9N50 TO-220 / TO-220F TMP9N50 / TMPF9N50 RoHSTMP9N50G / TMPF9N50G TO-220 / T
tmp9n50s tmpf9n50s.pdf
TMP9N50S(G)/TMPF9N50S(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 8.5A
tmp9n90 tmpf9n90.pdf
TMP9N90/TMPF9N90 TMP9N90G/TMPF9N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP9N90 / TMPF9N90 TO-220 / TO-220F TMP9N90 / TMPF9N90 RoHS TMP9N90G / TMPF9N
tmp9n70 tmpf9n70.pdf
TMP9N70(G)/TMPF9N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 9A
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History: BSS110
History: BSS110
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