TMPF15N50 Todos los transistores

 

TMPF15N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMPF15N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 211 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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TMPF15N50 Datasheet (PDF)

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TMPF15N50

TMP15N50/TMPF15N50TMP15N50G/TMPF15N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 14A Low gate chargeRDS(on) = 0.44 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP15N50 / TMPF15N50 TO-220 / TO-220F TMP15N50 / TMPF15N50 RoHSTMP15N50G / TMPF15N50G

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TMPF15N50

TMP10N80/TMPF10N80 TMP10N80G/TMPF10N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(ON) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N80 / TMPF10N80 TO-220 / TO-220F TMP10N80 / TMPF10N80 RoHS TMP10N

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TMPF15N50

TMP12N60A(G)/TMPF12N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 12A

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TMPF15N50

TMP16N25Z(G)/TMPF16N25Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
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