TMPF4N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMPF4N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de TMPF4N65 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TMPF4N65 datasheet

 ..1. Size:624K  trinnotech
 tmp4n65 tmpf4n65.pdf pdf_icon

TMPF4N65

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.1. Size:608K  trinnotech
 tmp4n65az tmpf4n65az.pdf pdf_icon

TMPF4N65

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 0.2. Size:628K  trinnotech
 tmp4n65z tmpf4n65z.pdf pdf_icon

TMPF4N65

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 7.1. Size:571K  trinnotech
 tmp4n60 tmpf4n60.pdf pdf_icon

TMPF4N65

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TMPF2N60Z, TMPF2N65AZ, TMPF3N50AZ, TMPF3N50Z, TMPF3N80, TMPF3N90, TMPF4N60, TMPF4N60AZ, IRFP260N, TMPF4N65AZ, TMPF4N65Z, TMPF4N80, TMPF4N90, TMPF5N50, TMPF5N50SG, TMPF5N60AZ, TMPF5N60Z