TMPF6N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMPF6N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de TMPF6N70 MOSFET
TMPF6N70 Datasheet (PDF)
tmp6n70 tmpf6n70.pdf
TMP6N70(G)/TMPF6N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 5.0A
tmp6n65 tmpf6n65.pdf
TMP6N65/TMPF6N65 TMP6N65G/TMPF6N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 5.5A Low gate charge RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP6N65 / TMPF6N65 TO-220 / TO-220F TMP6N65 / TMPF6N65 RoHS TMP6N65G / TMPF
tmp630z tmpf630z.pdf
TMP630Z(G)/TMPF630Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A
Otros transistores... TMPF4N80 , TMPF4N90 , TMPF5N50 , TMPF5N50SG , TMPF5N60AZ , TMPF5N60Z , TMPF630Z , TMPF6N65 , IRFP250N , TMPF7N60Z , TMPF7N65AZ , TMPF7N65Z , TMPF7N90 , TMPF830 , TMPF830AZ , TMPF830Z , TMPF8N25Z .
History: IRF7769L2TR1PBF | SLH60R080SS
History: IRF7769L2TR1PBF | SLH60R080SS
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP18P30Q | AP180N03G | AP1606 | AP1605 | AP15N10K | AP150N03Q | AP150N03G | AP1310K | AP1310 | AP12N10S | AP120N04K | AP120N03 | AP1002 | AP0903GD | AP0903G | AGM601LL
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