TMPF7N65Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TMPF7N65Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMPF7N65Z

TMPF7N65Z Datasheet (PDF)

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tmp7n65z tmpf7n65z.pdf

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

6.1. Size:615K trinnotech
tmp7n65az tmpf7n65az.pdf

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

7.1. Size:611K trinnotech
tmp7n60z tmpf7n60z.pdf

TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A

8.1. Size:440K trinnotech
tmp7n90 tmpf7n90.pdf

TMP7N90/TMPF7N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7A Low gate charge RDS(ON) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP7N90 TO-220 TMP7N90 RoHS TMPF7N90G TO-220F TMPF7N90G Halogen Free Absolute Maximum Ratings

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: