TMU5N40ZG Todos los transistores

 

TMU5N40ZG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMU5N40ZG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK
 

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TMU5N40ZG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  trinnotech
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TMU5N40ZG

TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 3.4A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD5N40ZG/TMU5N40ZG D-PAK/I-PAK TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Halogen Free Abso

 9.1. Size:461K  trinnotech
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TMU5N40ZG

TMD5N60Z(G)/TMU5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 4.2A

 9.2. Size:345K  trinnotech
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TMU5N40ZG

TMD5N50/TMU5N50TMD5N50G/TMU5N50GFeaturesVDSS = 550 V @Tjmax Low gate chargeID = 4.5A 100% avalanche testedRDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DI-PAKD-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD5N50/TMU5N50 D-PAK/I-PAK TMD5N50/TMU5N50 RoHS

 9.3. Size:457K  trinnotech
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TMU5N40ZG

TMD5N60AZ(G)/TMU5N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

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History: CJAB35P03 | PMT29EN | PMV213SN | CEB20A03 | STP10N62K3 | STU330S

 

 
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