IRF1405ZS-7PPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF1405ZS-7PPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK-7

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF1405ZS-7PPBF

IRF1405ZS-7PPBF Datasheet (PDF)

0.1. Size:319K international rectifier
irf1405zl-7ppbf irf1405zs-7ppbf.pdf

PD - 97206BIRF1405ZS-7PPbFIRF1405ZL-7PPbFHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process TechnologyDVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 4.9mGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeSID = 120AS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)G (Pin 1)DescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestpro

2.1. Size:247K international rectifier
auirf1405zs-7p.pdf

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1405ZS-7PFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-Resistance VDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 4.9mGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeSID = 120Al Automotive Qualified *S (Pin 2, 3, 5, 6, 7)G (Pin 1)DescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes thela

2.2. Size:247K infineon
auirf1405zs-7p.pdf