FMP07N50E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMP07N50E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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FMP07N50E datasheet

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FMP07N50E

FMP07N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220AB Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Otros transistores... IRF1405ZSPBF, IRF1407PBF, IRF140SMD, FMP03N60E, FMP05N50E, FMP05N60E, FMP06N60E, FMP06N60ES, K2611, FMP08N50E, FMP10N60E, FMP11N60E, FMP12N50E, FMP12N50ES, FMP12N60ES, FMP13N60E, FMP13N60ES