FMV05N50E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMV05N50E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de FMV05N50E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FMV05N50E datasheet

 ..1. Size:376K  fuji
 fmv05n50e.pdf pdf_icon

FMV05N50E

FMV05N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.

 8.1. Size:487K  fuji
 fmv05n60e.pdf pdf_icon

FMV05N50E

FMV05N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.

Otros transistores... FMR19N60ES, FMR21N50ES, FMR23N50ES, FMR23N60E, FMR23N60ES, FMR28N50E, FMR28N50ES, FMV03N60E, AON6414A, FMV05N60E, FMV06N60E, FMV06N60ES, FMV06N90E, FMV07N50E, FMV08N50E, FMV09N90E, FMV10N60E