FP10W90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FP10W90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: ITO-3P
Búsqueda de reemplazo de FP10W90 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FP10W90 datasheet
fp10w90hvx2.pdf
! SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2677 Case ITO-3P (Unit mm) (FP10W90HVX2) 900V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast.
2sk2190 fp10w50vx2.pdf
SHINDENGEN VX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2190 Case E-pack Case ITO-3P (Unit mm) (FP10W50VX2) 500V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High vo
Otros transistores... FMV24N25G, FMV30N60S1, FMW20N60S1HF, FMW30N60S1HF, FMW47N60S1HF, FMW79N60S1HF, FP10W50C, FP10W50VX2, AO4407, FP10W90HVX2, FP11W60C3, FP20W50VX2, FP20W60C3, FP3W90, FP5W90HVX2, FP7W90HVX2, FP8V50
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor
