FP10W90 Todos los transistores

 

FP10W90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FP10W90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO-3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

FP10W90 Datasheet (PDF)

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 2sk1686 fp10w90.pdf pdf_icon

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 0.1. Size:435K  shindengen
 fp10w90hvx2.pdf pdf_icon

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!SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2677Case : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W90HVX2)900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.

 9.1. Size:263K  shindengen
 2sk2190 fp10w50vx2.pdf pdf_icon

FP10W90

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2190Case : E-packCase : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W50VX2)500V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vo

 9.2. Size:48K  shindengen
 2sk1696 fp10w50c.pdf pdf_icon

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History: CSFR6N60U | PMDPB38UNE | AP14SL50I | FCA35N60

 

 
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