IRFU9024N Todos los transistores

 

IRFU9024N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFU9024N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IRFU9024N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1384K  international rectifier
 irfr9024npbf irfu9024npbf.pdf pdf_icon

IRFU9024N

PD - 95015AIRFR9024NPbFIRFU9024NPbF Lead-Freewww.irf.com 112/14/04IRFR/U9024NPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
 irfu9024n.pdf pdf_icon

IRFU9024N

isc P-Channel MOSFET Transistor IRFU9024NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)175m(@V = -10V; I = -6.6A)GS DAdvanced trench process technology100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFast switching application.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA

 0.1. Size:1347K  1
 irfr9024ncpbf irfu9024ncpbf.pdf pdf_icon

IRFU9024N

PD - 96048IRFR9024NCPbFIRFU9024NCPbF(IRFR9024NCPbF)(IRFU9024NCPbF) Lead-Freewww.irf.com 105/31/06IRFR/U9024NCPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NCPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NCPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductanc

 0.2. Size:529K  infineon
 auirfr9024n auirfu9024n.pdf pdf_icon

IRFU9024N

AUIRFR9024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU9024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance P-Channel RDS(on) max. 0.175 Dynamic dv/dt Rating ID -11A 150C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D D Lead-Free, RoHS Complian

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