FP20W50VX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FP20W50VX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: ITO-3P
Búsqueda de reemplazo de FP20W50VX2 MOSFET
FP20W50VX2 Datasheet (PDF)
2sk2197 fp20w50vx2.pdf
SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2197Case : E-packCase : ITO-3P(Unit : mm)(FP20W50VX2)500V 20AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vo
fp20w60c3.pdf
P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 3akgIO-PF 2W6CP 0 0 3 6 0 00 V2A 0000 P20W60C3F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgsltdP cae
Otros transistores... FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C , FP10W50VX2 , FP10W90 , FP10W90HVX2 , FP11W60C3 , STF13NM60N , FP20W60C3 , FP3W90 , FP5W90HVX2 , FP7W90HVX2 , FP8V50 , FQA10N60C , FQA10N80 , FQA10N80C .
History: SSB80R160SFD | SVS11N70DD2TR
History: SSB80R160SFD | SVS11N70DD2TR
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