FP20W50VX2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FP20W50VX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Encapsulados: ITO-3P
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FP20W50VX2 datasheet
2sk2197 fp20w50vx2.pdf
SHINDENGEN VX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2197 Case E-pack Case ITO-3P (Unit mm) (FP20W50VX2) 500V 20A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High vo
fp20w60c3.pdf
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Otros transistores... FMW30N60S1HF, FMW47N60S1HF, FMW79N60S1HF, FP10W50C, FP10W50VX2, FP10W90, FP10W90HVX2, FP11W60C3, IRFP250, FP20W60C3, FP3W90, FP5W90HVX2, FP7W90HVX2, FP8V50, FQA10N60C, FQA10N80, FQA10N80C
History: UF830KL-TF2-T | RP1E100RPTR | FQB16N25TM
🌐 : EN ES РУ
Liste
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