IRFU9210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU9210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 8.9(max) nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 54 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFU9210
IRFU9210 Datasheet (PDF)
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PD - 95027AIRFR9210PbFIRFU9210PbF Lead-Free12/14/04Document Number: 91281 www.vishay.com1IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com2IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com3IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com4IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com5IRFR/U9210PbFDocument Number: 91281 www.vishay.com6
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IRFR9210, IRFU9210, SiHFR9210, SiHFU9210Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0RoHS* Surface Mount (IRFR9210/SiHFR9210)Qg (Max.) (nC) 8.9COMPLIANT Straight Lead (IRFU9210/SiHFU9210)Qgs (nC) 2.1Qgd (nC) 3.9 Available in Tape and ReelConf
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IRFR9210, IRFU9210, SiHFR9210, SiHFU9210www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0 Surface Mount (IRFR9210, SiHFR9210)Qg (Max.) (nC) 8.9 Straight Lead (IRFU9210, SiHFU9210)Qgs (nC) 2.1 Available in Tape and ReelQgd (nC) 3.9 P-Channel
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PD - 95375AIRFR/U9214PbFHEXFET Power MOSFETl P-Channel DVDSS = -250Vl Surface Mount (IRFR9214)l Straight Lead (IRFU9214)RDS(on) = 3.0l Advanced Process TechnologyGl Fast Switchingl Fully Avalanche Rated ID = -2.7ASl Lead-FreeDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve lowon-resistance pe
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IRFR9214, IRFU9214, SiHFR9214, SiHFU9214Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-ChannelVDS (V) - 250 Surface Mount (IRFR9214/SiHFR9214) AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0 Straight Lead (IRFU9214/SiHFU9214) RoHS*Qg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Advanced Process TechnologyQgs (nC) 3.1 Fast SwitchingQgd (nC) 6.8 Fully Avalanche RatedC
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