IRFU9212 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU9212
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Encapsulados: TO251
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IRFU9212 datasheet
irfr9210pbf irfu9210pbf.pdf
PD - 95027A IRFR9210PbF IRFU9210PbF Lead-Free 12/14/04 Document Number 91281 www.vishay.com 1 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 2 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 3 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 4 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 5 IRFR/U9210PbF Document Number 91281 www.vishay.com 6
irfr9214 irfu9214.pdf
PD - 95375A IRFR/U9214PbF HEXFET Power MOSFET l P-Channel D VDSS = -250V l Surface Mount (IRFR9214) l Straight Lead (IRFU9214) RDS(on) = 3.0 l Advanced Process Technology G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = -2.7A S l Lead-Free Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve low on-resistance pe
irfr9210 irfu9210 sihfr9210 sihfu9210.pdf
IRFR9210, IRFU9210, SiHFR9210, SiHFU9210 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 3.0 RoHS* Surface Mount (IRFR9210/SiHFR9210) Qg (Max.) (nC) 8.9 COMPLIANT Straight Lead (IRFU9210/SiHFU9210) Qgs (nC) 2.1 Qgd (nC) 3.9 Available in Tape and Reel Conf
Otros transistores... IRFU9024 , IRFU9024N , IRFU9110 , IRFU9111 , IRFU9120 , IRFU9120N , IRFU9121 , IRFU9210 , IRFB4110 , IRFU9214 , IRFU9220 , IRFU9222 , IRFU9310 , IRFUC20 , IRFW450 , IRFW510A , IRFW520A .
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