FQAF5N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQAF5N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PF
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FQAF5N90 Datasheet (PDF)
fqaf5n90.pdf
September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQAF5N90900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 900V, RDS(on) = 2.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 13 pF)This advanced technology has b
fqaf58n08.pdf
December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQAF58N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 80V, RDS(on) = 0.024 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology is espe
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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