IRFUC20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFUC20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFUC20

IRFUC20 Datasheet (PDF)

..1. Size:1109K international rectifier
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PD - 95098AIRFRC20PbFIRFUC20PbF Lead-Free1/10/05Document Number: 91285 www.vishay.com1IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com2IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com3IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com4IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com5IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com6IRFR/UC2

..2. Size:1122K vishay
irfrc20pbf irfuc20pbf sihfrc20 sihfuc20.pdf

IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4 Surface Mount (IRFRC20, SiHFRC20)Qg (Max.) (nC) 18 Straight Lead (IRFUC20, SiHFUC20)Qgs (nC) 3.0 Available in Tape and ReelQgd (nC) 8.9 Fast SwitchingConfigu

..3. Size:1918K vishay
irfrc20 irfuc20 sihfrc20 sihfuc20.pdf

IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 18 Surface Mount (IRFRC20, SiHFRC20)Qgs (nC) 3.0 Straight Lead (IRFUC20, SiHFUC20)Qgd (nC) 8.9 Available in T

..4. Size:297K inchange semiconductor
irfuc20.pdf

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFUC20FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =4.4 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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