IRFWZ34A Todos los transistores

 

IRFWZ34A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFWZ34A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFWZ34A Datasheet (PDF)

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IRFWZ34A

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IRFWZ34A

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IRFWZ34A

IRFW/IZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)112331. Gate 2. Drai

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IRFWZ34A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Max

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History: IRF7420PBF-1 | P2610ADG | 2SK897 | S10H12S | UK3568 | NTD80N02-001 | SIHFP048R

 

 
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