FQI3P20TU Todos los transistores

 

FQI3P20TU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQI3P20TU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2-PAK
 

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FQI3P20TU PDF Specs

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FQI3P20TU

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB3P20 / FQI3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technolo... See More ⇒

 9.1. Size:645K  fairchild semi
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FQI3P20TU

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB3P50 / FQI3P50 500V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect Features transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 V This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 1... See More ⇒

Otros transistores... FQI2N90TU , FQI2NA90TU , FQI2P25TU , FQI34P10TU , FQI3N25TU , FQI3N30TU , FQI3N40TU , FQI3N90TU , STP75NF75 , FQI3P50TU , FQI47P06TU , FQI4N20TU , FQI4N25TU , FQI4N90TU , FQI4P40TU , FQI50N06LTU , FQI50N06TU .

History: SL60N10Q

 

 
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