FQNL2N50BBU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQNL2N50BBU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU Datasheet (PDF)

..1. Size:596K fairchild semi
fqnl2n50bbu fqnl2n50bta.pdf

March 2001TMQFETFQNL2N50B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.35A, 500V, RDS(on) = 5.3 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.0 pF)This advanced technology has been especially tailo

5.1. Size:598K fairchild semi
fqnl2n50b.pdf

5.2. Size:966K onsemi
fqnl2n50b.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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Liste

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