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FQNL2N50BBU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQNL2N50BBU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.35 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 6 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-92L

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FQNL2N50BBU Datasheet (PDF)

1.1. fqnl2n50b.pdf Size:598K _fairchild_semi

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March 2001 TM QFET FQNL2N50B 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.35A, 500V, RDS(on) = 5.3? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.0 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fas

1.2. fqnl2n50bbu fqnl2n50bta.pdf Size:596K _fairchild_semi

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March 2001 TM QFET FQNL2N50B 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 0.35A, 500V, RDS(on) = 5.3Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 4.0 pF) This advanced technology has been especially tailo

 

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