IRFY9130 Todos los transistores

 

IRFY9130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFY9130
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFY9130 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFY9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  international rectifier
 irfy9130.pdf pdf_icon

IRFY9130

PD - 94195IRFY9130,IRFY9130MPOWER MOSFET 100V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY9130 0.3 -11.2A GlassIRFY9130M 0.3 -11.2A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low

 0.1. Size:828K  international rectifier
 irfy9130cm.pdf pdf_icon

IRFY9130

PD-91293CIRFY9130C, IRFY9130CMPOWER MOSFET 100V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY9130C 0.3 -11.2A CeramicIRFY9130CM 0.3 -11.2A CeramicTO-257AAHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves v

 0.2. Size:161K  international rectifier
 irfy9130c.pdf pdf_icon

IRFY9130

PD - 91293BIRFY9130C,IRFY9130CMPOWER MOSFET 100V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY9130C 0.3 -11.2A CeramicIRFY9130CM 0.3 -11.2A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves

 0.3. Size:11K  semelab
 irfy9130m.pdf pdf_icon

IRFY9130

IRFY9130MDimensions in mm (inches). P-Channel MOSFET in 10.6 (0.42)4.6 (0.18)0.8a Hermetically sealed (0.03)TO257AB Metal Package. 3.70 Dia. Nom 1 2 3VDSS = 100V ID = 11.2A RDS(ON) = 0.3 All Semelab hermetically sealed products can be 1.0 processed in accordance with the requirements 2.54 (0.1)(0.039)BSC2.70 of BS, CECC and JAN, JANTX,

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFY340 , IRFY340C , IRFY430 , IRFY430C , IRFY440 , IRFY440C , IRFY9120 , IRFY9120C , 5N65 , IRFY9130C , IRFY9140 , IRFY9140C , IRFY9240 , IRFY9240C , IRFZ10 , IRFZ12 , IRFZ14 .

 

 
Back to Top

 


 
.