FQPF3N90 Todos los transistores

 

FQPF3N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQPF3N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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FQPF3N90 datasheet

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FQPF3N90

September 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQPF3N90 900V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.1A, 900V, RDS(on) = 4.25 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 8.0 pF) This advanced technology has... See More ⇒

 8.1. Size:710K  fairchild semi
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FQPF3N90

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.6A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.2 pF) This advanced technology has bee... See More ⇒

 8.2. Size:810K  fairchild semi
fqp3n80c fqpf3n80c.pdf pdf_icon

FQPF3N90

TM QFET FQP3N80C/FQPF3N80C 800V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.0A, 800V, RDS(on) = 4.8 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.5 pF) This advanced technology has been especially tailored t... See More ⇒

 8.3. Size:638K  fairchild semi
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FQPF3N90

September 2000 TM QFET FQPF3N80 800V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.8A, 800V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.0 pF) This advanced technology has been especially tail... See More ⇒

Otros transistores... FQPF34N20 , FQPF34N20L , FQPF3N30 , FQPF3N40 , FQPF3N50C , FQPF3N60 , FQPF3N80 , FQPF3N80CYDTU , RU7088R , FQPF3P20 , FQPF3P50 , FQPF44N08 , FQPF44N08T , FQPF44N10 , FQPF46N15 , FQPF47P06YDTU , FQPF4N20 .

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