IRF640H Todos los transistores

 

IRF640H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF640H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IRF640H Datasheet (PDF)

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IRF640H

RoHS IRF640 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(18A, 200Volts)DESCRIPTION The Nell IRF640 are N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors.DD They are designed, tested and guaranteed to withstand level of energy in breakdown avalanche made of operation. They are designed as an extremely efficient and relia

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IRF640H

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IRF640H

PD - 94006IRF640NIRF640NSIRF640NL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 200V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.15 Ease of ParallelingG Simple Drive RequirementsDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from SInternational Rectifier utilize advanced processi

Otros transistores... IRF630NSPBF , IRF630PBF , IRF630SPBF , IRF634NLPBF , IRF634NSPBF , IRF634PBF , IRF634SPBF , IRF640FP , AON7410 , IRF640LPBF , IRF640NLPBF , IRF640NPBF , IRF640NSPBF , IRF640PBF , IRF640SPBF , IRF644N , IRF644NLPBF .

History: WMS04N10T1

 

 
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