IRF6728MPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6728MPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Encapsulados: DIRECTFET
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IRF6728MPBF datasheet
irf6728mpbf.pdf
PD - 97568 IRF6728MPbF IRF6728MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode 30V max 20V max 1.8m @ 10V 2.8m @ 4.5V l Low Profile (
irf6723m2d.pdf
PD - 97441 IRF6723M2DTRPbF IRF6723M2DTR1PbF Applications l Dual Common Drain Control MOSFETs for DirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified) Features VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two Discrete MOSFETs 30V max 20V max 5.2m @ 10V 8.6m @ 4.5V l Optimized for High Frequency Switching l Low Profile (
irf6722mpbf irf6722mtrpbf.pdf
PD - 96136 IRF6722MPbF IRF6722MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6725mpbf.pdf
PD - 96120A IRF6725MPbF IRF6725MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
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History: APT31N60SCSG
🌐 : EN ES РУ
Liste
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