IRF6898MPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6898MPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1780 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6898MPBF datasheet

 ..1. Size:243K  international rectifier
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IRF6898MPBF

IRF6898MPbF IRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode l Low Profile (

 ..2. Size:502K  infineon
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IRF6898MPBF

IRF6898MPbF IRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified) RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (

 8.1. Size:248K  international rectifier
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IRF6898MPBF

PD - 97633A IRF6894MPbF IRF6894MTRPbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:215K  international rectifier
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IRF6898MPBF

PD - 97761 IRF6893MPbF IRF6893MTRPbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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