IRF7241PBF Todos los transistores

 

IRF7241PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7241PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF7241PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  international rectifier
 irf7241pbf.pdf pdf_icon

IRF7241PBF

PD - 95294IRF7241PbFHEXFET Power MOSFET Trench Technology VDSS RDS(on) max (mW) ID Ultra Low On-Resistance-40V 41@VGS = -10V -6.2A P-Channel MOSFET70@VGS = -4.5V -5.0A Available in Tape & Reel Lead-FreeA1 8S DDescription2 7New trench HEXFET Power MOSFETs from DSInternational Rectifier utilize advanced processing3 6S Dtechniques to achie

 7.1. Size:178K  international rectifier
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IRF7241PBF

PD- 94087IRF7241HEXFET Power MOSFET)))) Trench Technology VDSS RDS(on) max (m) ID Ultra Low On-Resistance-40V 41@VGS = -10V -6.2A P-Channel MOSFET70@VGS = -4.5V -5.0A Available in Tape & ReelA1 8S DDescription2 7New trench HEXFET Power MOSFETs from DSInternational Rectifier utilize advanced processing3 6S Dtechniques to achieve ex

 7.2. Size:818K  cn vbsemi
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IRF7241PBF

IRF7241TRwww.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1

 8.1. Size:229K  international rectifier
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IRF7241PBF

PD- 93916IRF7240HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET-40V 0.015@VGS = -10V -10.5A Surface Mount0.025@VGS = -4.5V -8.4A Available in Tape & ReelA1 8DescriptionS DThese P-Channel MOSFETs from International2 7S DRectifier utilize advanced processing techniques toachieve the extremely low on-resistance per silicon3 6

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History: 10N50TF | WFY3N02 | APT904R2AN | JSM3401L | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | IRFU3706PBF

 

 
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